ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1 Разработаны методы моделирования, использующие геометрический и корпускулярный подходы, которые ПОЗВОЛЯЮТ C высокой точностью описать вид оптических индикатрис пропускания и диффузного рассеяния при прохождении света через оптические элементы и оценить вклад дефектов в рассеяние световых потоков.

2. Анализ коноскопических картин разработанными методами позволяет выявить оптические аномалии и определить изменения оптической индикатрисы, вызванные наличием дефектов или внешним воздействием.

- отклонения коэффициентов преломления в объеме кристалла парателлурита при наличии свилей составляют 0,02-0,03;

- аномальная оптическая двуосность обнаруживается при углах 2-3’ и более;

- в светозвукопроводах включенных АО устройств возникает аномальная оптическая двуосность; для исследуемого акустооптического дефлектора при работе на акустической частоте 65 МГц аномальная оптическая двуосность имела угол 2V равный 20^,-25^,;

- остаточные напряжения, возникающие при сварке оптического элемента из парателлурита с пьезоэлементом, вызывают изменения коэффициентов преломления в светозвукопроводе на величину ~ 0,01 и распространяются вглубь кристалла на 3-4 мм.

3. Коэффициент излучения оптических элементов из кристаллов германия при температурах 30-80 ^oC изменяется в зависимости от шероховатости их поверхностей - от 0,8 у шлифованных образцов с параметром шероховатости R_a~ 400 нм до 0,7 у полированных образцов с параметром шероховатости R_a~3 нм.

4. При нагреве оптических элементов шероховатость полированных поверхностей изменяется, что отражается на индикатрисах

пропускания и диффузного отражения. Для германия снижение пропускания света до 2% (λ=10.6 мкм) и увеличение угла рассеяния проходящего и отраженного света на 1,5-2,0°.

5. Тепловизионным методом с использованием однородного нагрева можно контролировать параметры шероховатости и однородность полировки оптических элементов с точностью R_a~2 нм.

6. Распределение электроактивных примесей в кристаллах германия имеет тонкую структуру; использование тепловизионного метода расширяет возможности для оценки распределения легирующей примеси (в том числе в поликристаллическом материале). Разрешающая способность определения распределения примеси при этом увеличивается до 3 точек на миллиметр, что на порядок превышает разрешающую способность зондовых методов измерения удельного электросопротивления.