<<
>>

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Роль монокристаллов во всех многочисленных областях современной оптики трудно переоценить. Монокристаллы являются основой для большинства типов оптоэлектронных устройств - электрооптических, магнитооптических, акустооптических.

Полупроводниковые монокристаллы германия имеют электронное применение, используются в качестве материала для окон и линз объективов инфракрасных тепловизионных устройств, применяются в качестве подложек для гетероструктур солнечных элементов [1-4].

Постоянно расширяется номенклатура и масштабы применения лазерных кристаллов [5-10]. Достаточно упомянуть монокристаллы титан-сапфира - активную среду для получивших в последнее десятилетие большое распространение фемтосекундных лазеров [1, 11-14]. Значительно вырос интерес к

сцинтилляционным кристаллам, в частности, к кристаллам силиката лютеция, необходимым для позитронно-эмиссионных томографов [15-18]. В акустооптике наблюдается резкое увеличение выпуска известных устройств, в первую очередь, лазерных модуляторов и дефлекторов [11, 19-24]. Одновременно разрабатываются и выпускаются такие новые устройства, как АОДЛ (акустооптические адаптивные дисперсионные линии задержки), предназначенные для сжатия и корреляции сверхмощных импульсов фемтосекундных лазеров [11, 13, 21-26]. Это сопровождается расширением производства акустооптических кристаллов - парателлурита, молибдата кальция, ниобата лития, вольфрамата кальция. Последний вид кристаллов является основным для десятков тысяч сцинтилляторов-детекторов, используемых в настоящее время в комплексе измерительной аппаратуры большого адронного коллайдера [5, 11]. Чрезвычайно объёмной сферой применения кристаллов является нелинейная оптика [5, 27]. Здесь, помимо широко использующихся кристаллов KTP, KDP и DKDP, в последнее время получили большое распространение кристаллы BBO и KTA [5,7,8,27], LBO,

CLBO, α-LiIO2, имеющие высокие коэффициенты линейной восприимчивости. Развитие акустооптики инфракрасного диапазона вызвало интерес к эффективным (имеющим высокий коэффициент акустооптического качества M2) и прозрачным в спектральном интервале 8-12 мкм монокристаллам каломели и элементарного теллура [И, 28, 29]. Постоянно расширяется производство кристаллов лейкосапфира, использующихся для изготовления теплоотводящих подложек в лазерных и оптоэлектронных устройствах [7, 8]. Значительно выросли за последние 10-15 лет объемы мирового производства монокристаллов силленитов, например, BGO (Bii2GeO20) и GGO (Gd3Ga5Oi2) [18]. Эти кристаллы используются в таких устройствах, как пьезодатчики, фильтры и линии задержки электромагнитных сигналов, электро- и магнитооптические измерители напряжённости полей, пространственно-временные модуляторы, резонаторы в лазерах. Благодаря явлению фоторефракции кристаллы BGO используются при регистрации голограмм, поскольку их показатель преломления изменяется в зависимости от интенсивности их освещения. Оптические кристаллы вместе с самыми разнообразными устройствами в огромном количестве (от сотен тысяч до миллионов штук) используются в настоящее время и в бытовой технике. Наряду с лазерными дисплеями, лазерными измерителями скорости вращения, лазерными уровнями и т.д., следует отметить массовое применение кристаллов в бытовых лазерных устройствах - лазерных указках. Так, в достаточно распространённых наиболее мощных указках (до 1 Вт и более), излучение зелёного цвета с длиной волны 532 нм является результатом преобразования (удвоения) частоты генерации лазера на монокристалле HAT:Nd [5].

Постоянно увеличивается число выпускаемых лазерных устройств на кристаллах, в том числе, мощных, полностью твердотельных многоволновых лазеров, используемых в целях навигации, картографии, океанографии, экологии (в аэрозольных лидарах) [9, 10, 30, 31], в системах космического позиционирования (ГЛОНАСС) [11].

Практически повсеместно применяются выпускаемые в РФ и за рубежом разветвители и коммутаторы каналов BOJIC (волоконно-оптические линии связи) на основе АО-модуляторов с элементами из монокристаллов парателлурита [11, 32]. При этом мировое ежегодное производство таких устройств уже в настоящее время достигает до IOO тыс. штук при устойчивой тенденции к увеличению, обусловленной быстрым ростом общей протяжённости кабельных волоконных сетей.

Все большую роль играют оптические монокристаллы в чисто научной сфере, в фундаментальных исследованиях, например, в астрономии и астрофизике, где расширяется применение электронно-перестраиваемых фильтров излучений и изображений - акустооптических спектрометров на основе кристаллов, прозрачных в различных участках спектра - УФ, видимом и ПК диапазонах [И, 33-35]. Такими кристаллами,

использованными в проектах Европейского космического агентства «Марс- Экспресс» и «Венера-Экспресс» в составе установленных на космических аппаратах акустооптических спектрометрах СПИКАМ и СПИКАВ, также являлись кристаллы парателлурита. В качестве фотоприёмников для фильтров использовались фотодиоды на кристаллах InGaAs [35]. Появляются сообщения о новых применениях кристаллов парателлурита в области ядерной физики, а также в области получения термоядерной энергии с помощью сверхмощных импульсов фемтосекундных лазеров [12, 36-39].

Нельзя не упомянуть и постоянное расширение направлений разработок и производства, основанных на оптических кристаллах устройствах военного назначения. Они используются в лазерных системах ПВО и, в частности, в системах наведения УРО (управляемого ракетного оружия) на цели по лазерному лучу [26, 40, 41].

Результаты краткого обзора свидетельствует о возрастающей роли монокристаллов в оптике, оптоэлектронике и фотонике, а также в многочисленных и разнообразных современных научных и практических приложениях устройств на основе разных кристаллов. Это говорит о

безусловной актуальности общего направления диссертационных исследований. В более узком смысле актуальность тематики диссертации определяется тем, что одновременно с увеличивающимся применением монокристаллов в оптике, постоянно присутствует потребность в улучшении их структурного совершенства и однородности физических параметров кристаллов и изготавливаемых из них оптических элементов; также часто необходимо и увеличение их размеров. Эти два требования, как правило, вступают в противоречие в силу объективных причин, связанных с процессами образования дефектов при выращивании кристаллов. В результате соответствующих исследований и корректировки ростовых технологий указанные противоречия успешно разрешаются, хотя иногда за достаточно большое время. В качестве примера уместно привести примерно 50-летний путь, который прошли технологии выращивания монокристаллов парателлурита (а-ТеОг), которые являлись объектами исследования и в настоящей работе.

В 60-е годы парателлурит, оказавшийся самым эффективным акустооптическим материалом в спектральном диапазоне 0.35-6.0 мкм, выращивался из расплава исключительно способом Чохральского. В этот период лучшие и наиболее крупные кристаллы парателлурита имели диаметр не более 25-30 мм, а высоту - не более 40 мм [42-45].

Средняя плотность дислокаций в них была высокой и находилась в интервале (10 -10 см' ), а зачастую доходила и до IO6см'2, что отрицательно сказывалось не только на оптических параметрах кристаллов [44], но и приводила к недопустимо высокому затуханию ультразвука [46].

В кристаллах почти всегда наблюдались захваченные в процессе вытягивания газовые пузырьки и их ассоциаты [И, 45]. Обнаруживались малоугловые границы, блочность, макроскопические включения посторонних фаз [44], фиксировались случаи растрескивания образцов. Данные спектроскопии указывали на заметные линии поглощения в видимом диапазоне [И]. Высокие концентрации примесей (платины, кремния,

различных металлов переходных групп) были обусловлены невысокой чистотой исходного сырья (99,9-99,99% основного вещества), применявшегося на начальном этапе развития технологий получения парателлурита [42, 43].

За прошедшее время чистота применяемой исходной шихты-диоксида теллура - достигла уровня 99,9999-99,99999% основного вещества (6Ν и 7Ν соответственно) [47]. Плотность дислокаций в кристаллах составляет в среднем 10 см’ , т.е. снижена на два порядка. Практически устранён процесс захвата кристаллами газовых пузырьков [48]. Удалось повысить коэффициенты пропускания света кристаллами парателлурита в некоторых участках диапазона прозрачности. В материале отсутствуют малоугловые границы и блоки, исключено самопроизвольное растрескивание, заметно уменьшено рассеяние света. Снизились максимальные значения углов аномальной двуосности 2V в теоретически одноосных кристаллах парателлурита - с нескольких градусов до 10-15 минут [44], уменьшена свильность материала [48]. Подавление процессов образования структурных дефектов и OA (оптических аномалий) при выращивании монокристаллов парателлурита сопровождалось значительным увеличением размеров буль и слитков. В настоящее время парателлурит высокого качества выращивают не только способом Чохральского, но и способом Бриджмена-Стокбаргера [49]. На настоящее время кристаллы парателлурита превышают 100 мм в диаметре, в высоту - 90 мм, а масса самых крупных образцов доходит до 2-х и более килограмм [48, 50]. Стремление к увеличению размеров кристаллов, помимо очевидного экономического эффекта, заключающегося в уменьшении отходов при раскройке на элементы исходных буль, а также в повышении производительности при массовом выпуске элементов, имеет и чисто физические обоснования. В акустооптических устройствах некоторых типов миниатюризация элементов - светозвукопроводов идёт вразрез с физическими принципами дифракции света на ультразвуке, в соответствии с которыми проектируются эти устройства. В особенности это касается ряда

современных, недавно разработанных устройств, в первую очередь, дисперсионных линий задержки, а также широкоапертурных электронно- перестраиваемых фильтров излучения и изображений [11, 20]. Так, один из основных параметров АОДЛ - время задержки сигнала - прямо пропорционально длине СЗП (светозвукопровода), вдоль которой в одном направлении распространяются световая и звуковая волны [И]. На сегодня известная максимальная длина СЗП АОДЛ из парателлурита достигает 60-80 мм [48], но для решения ряда новых задач требуется её увеличение до 90-110 мм. Далее, увеличение угловой апертуры и спектрального разрешения АОПФ астрофизического назначения, требует, чтобы СЗП из монокристаллов парателлурита имели размеры до 50 х 50 х 60 мм вдоль оптической оси и в плоскостях входной и выходной граней элемента устройства. Для изготовления таких элементов необходимы исходные кристаллы с размерами, близкими к рекордным в настоящее время [11, 20]. Тем не менее, ни достигнутые размеры, ни современные характеристики структурного совершенства и оптического качества кристаллов парателлурита не являются окончательными и предельными.

Все вышесказанное можно отнести и к монокристаллам германия, также исследованным в настоящей работе. Они выращиваются из расплава, в основном, способом Чохральского, хотя иногда используются метод направленной кристаллизации, метод Степанова и модифицированный метод Бриджмена [1, 2]. Если в 50-60-е годы 20 века максимальный диаметр монокристаллов германия достигал 50-100 мм, то в настоящее время он составляет 400-500 мм [2]. Плотность дислокаций в наиболее совершенных образцах уменьшена за истекший период с IO4-IO5cm^2до10-100 cm^2,т.е. кристаллы германия являются почти бездислокационными [1]. Области применения германия обширны; в настоящее время основная проблема при выращивании монокристаллов германия состоит в стабильном и воспроизводимом получении бездислокационных и низкодислокационных монокристаллов для ряда применений (в частности, детекторы излучений на

основе монокристаллов, подложки фотоэлектрических преобразователей) [51]. По-прежнему актуальны проблемы увеличения оптического пропускания, уменьшения рассеяния, уменьшения вариаций показателей преломления [1,2, 52]. При этом методики исследования этих характеристик, применяемый в них математический аппарат на протяжении длительного времени остаются практически неизменными. Зачастую они уже не отвечают требуемым в настоящее время точности, чувствительности, и не вполне приемлемы для неразрушающего контроля крупногабаритных кристаллов.

Анализ результатов развития технологий выращивания кристаллов, применяемых в оптике, оптоэлектронике и фотонике, также говорит о том, что наряду с увеличением размеров и серьёзным улучшением структурного и оптического качества, проблемы увеличения оптической однородности кристаллов остаются до настоящего времени актуальными. И здесь наиболее важными являются взаимосвязанные характеристики монокристаллов, которые определяются внутренними и поверхностными дефектами, включая дислокации, границы блоков, включения разных типов, примеси фоновые и легирующие, шероховатость оптических поверхностей, напряжения и др.:

• Вариации показателей преломления ΔΝ/Ν.Их уменьшение до значений менее IO'5должно уменьшать шумы в изображениях, увеличивать разрешение спектральных приборов, увеличивать число разрешаемых позиций лазерного луча в дефлекторах, косвенным образом увеличивать пропускание света за счет снижения рассеяния.

• Коэффициент пропускания излучения Т. Его увеличение возможно за счет снижения рассеяния и поглощения (без учета процессов отражения на границах раздела). На рассеяние влияют структурные неоднородности различных пространственных масштабов - примесные атомы, дислокации, блоки, включения посторонних фаз, шероховатость оптических поверхностей кристаллов. Показатель поглощения реального кристалла зависит от тех же самых дефектов структуры, а в ряде случаев

от наличия примесей (которые могут приводить как к возрастанию поглощения, так и к снижению для разных кристаллов).

• Лазерная прочность (лучевая лазерная стойкость, лазерный порог разрушения). Повышение этих, по физическому смыслу, тождественных числовых характеристик, является, особенно в последнее время, чрезвычайно важной задачей в связи с использованием новых мощных и сверхмощных, непрерывных и импульсных лазеров. Зачастую плотности мощности излучения таких лазеров находятся вблизи порогов разрушения лазерных кристаллов, а иногда и превосходят их. Между тем, лазерная прочность кристалла является характеристикой, которая сильно зависит от перечисленных выше дефектов - примесей, дислокаций, оптических неоднородностей, параметров шероховатости оптических поверхностей. Так, у кристаллов парателлурита она может варьировать в пределах 150-220 МВт/см , в зависимости от структурного и оптического качества кристаллов [11, 48]. Увеличение лазерной прочности парателлурита в особенности важно для использования этих кристаллов в АОДЛ, предназначенных для сверхмощных фемтосекундных лазеров, входящих в состав систем, реализующих условия термоядерного синтеза [21, 36].

• Оптические аномалии макроуровня - анизотропия свойств кристаллов, аномальная двуосность одноосных кристаллов. Исключение или уменьшение OA должно приводить к улучшению остальных оптических характеристик.

• Параметры шероховатости - в общем случае, структура микрорельефа (нанорельефа) оптических поверхностей элементов или деталей из монокристаллов. Несмотря на хорошо известную взаимосвязь пропускания излучения кристаллами с рельефом их поверхностей [52- 54], данный вопрос с теоретической стороны, а также экспериментально, изучен совершенно недостаточно. Исследования, в которых одновременно учитывались бы как объёмные дефекты структуры

кристалла, так и параметры шероховатости поверхностей кристалла при расчете коэффициентов пропускания света, практически отсутствуют. Оптические потери, связанные с диффузным рассеянием, никогда не рассматриваются вместе с потерями, обусловленными внутриобъёмными аномалиями и неоднородностями.

Таким образом, актуальность исследования обусловлена повышением требований к оптическим характеристикам кристаллов для современных приборов и устройств. Также необходимостью совершенствования методов выявления оптических неоднородностей в монокристаллах; необходимостью классификации и получения численной оценки оптических неоднородностей; необходимостью совершенствования теоретических и экспериментальных методов оценки влияния рельефа оптических поверхностей на параметры светового потока, проходящего через кристалл с объёмными дефектами структуры.

Цель диссертационной работы - исследование неоднородностей монокристаллов и оптических аномалий, обусловленных внутренними дефектами структуры и шероховатостью поверхностей монокристаллов.

Для достижения цели были сформулированы и поставлены следующие задачи исследований.

• Анализ данных о физических причинах проявления в монокристаллах оптических аномалий и неоднородностей, об их связи с дефектами структуры различных типов, о современных методах выявления и численной оценки параметров оптических неоднородностей, в частности, монокристаллов германия и парателлурита.

• Разработка метода расчета коэффициентов пропускания света кристалла с заданными концентрациями дефектов структуры, основанного на модели траекторий фотонов.

• Разработка и тестирование программы расчета индикатрис диффузного отражения и пропускания света поверхностями кристалла в рамках представлений геометрической оптики.

• Разработка математических и компьютерных методов анализа коноскопических картин одноосных монокристаллов и расчет параметров оптических аномалий на примере монокристаллов парателлурита.

• Исследование неоднородностей в монокристаллах германия с помощью тепловизионной техники.

• Исследование влияния нагрева на шероховатость поверхности монокристаллов германия.

• Исследование влияния выделения тепла в светозвукопроводах акустооптических устройств, при различных мощностях и частотах ультразвука, на искажения оптической индикатрисы пропускания кристаллов парателлурита.

Научная новизна работы, В результате проведенных исследований получены следующие результаты:

• Разработаны и протестированы программы расчета индикатрисы светового потока, падающего на монокристалл с известным распределением внутренних дефектов и известным микрорельефом оптических поверхностей.

• Разработаны методы анализа коноскопических картин, позволяющие путем компьютерного сравнения изображений изохром обнаруживать, классифицировать и вычислять характеристики оптических аномалий в кристаллах.

• C помощью тепловизионной аппаратуры и метода коноскопии получены данные об искажении оптической индикатрисы в светозвукопроводе акустооптических устройств - дефлекторов и электронно- перестраиваемых фильтров (на основе монокристаллов парателлурита) при различных частотах и мощностях ультразвука.

• Впервые выявлены необратимые изменения шероховатости поверхности монокристаллов германия, вызванные процессами массопереноса на наноуровне при нагреве, приводящие к снижению оптического пропускания.

• Впервые исследовано распределения легирующей примеси в кристаллах германия тепловизионным методом.

Практическая значимость

Разработанные и проверенные методики измерений и программы расчета коэффициента пропускания и отражения света могут применяться при определении оптической однородности крупногабаритных монокристаллов германия, предназначенных для объективов тепловизионных устройств, при отборе крупногабаритных монокристаллов парателлурита для изготовления светозвукопроводов акустооптических дисперсионных линий задержки, предназначенных для сжатия и корреляции сверхмощных импульсов фемтосекундных лазеров. Данные методика и программы могут применяться при измерениях оптических параметров и контроле оптической однородности различных монокристаллов в научных организациях и на предприятиях, выпускающих устройства оптики, оптоэлектроники и фотоники.

Метод лазерной коноскопии, дополненный компьютерной программой и математическим аппаратом для анализа коноскопических картин, использован в метрологии оптической однородности и геометрической формы элементов из монокристаллов парателлурита и ниобата лития. Он может применяться при контроле оптического качества всех одноосных кристаллов, прозрачных в видимом диапазоне. Он может также применяться для непосредственных наблюдений и исследований влияния тепла, выделяющегося в элементах работающих акустооптических устройств при поглощении ультразвука, на оптическую однородность светозвукопроводов, изготовленных из монокристаллов.

Метод тепловизионной дефектоскопии, испытанный в работе при поиске объемных структурных дефектов в кристаллах германия, может применяться для контроля однородности крупногабаритных полупроводниковых монокристаллов, например, кремния, арсенида галлия, фосфида индия.

Разработанный и испытанный на кристаллах германия и парателлурита способ расчета индикатрис пропускания и диффузного рассеяния света поверхностями кристаллов адаптирован для решения задач, связанных с уменьшением заметности объектов в оптическом диапазоне, а также с увеличением прозрачности оптических элементов с помощью создания на их поверхности специального микрорельефа.

Разработанные методы исследований оптической однородности монокристаллов могут быть использованы на предприятиях и в организациях, осуществляющих выпуск монокристаллов.

Методология и методы исследований.

При исследованиях оптической однородности прозрачных в видимом диапазоне монокристаллов парателлурита, при выявлении изменений показателей преломления, свилей, аномальной двуосности, а также клиновидности элементов из кристаллов использован метод лазерной коноскопии.

При исследованиях микрорельефа и нанорельефа оптических поверхностей монокристаллов применялся метод интерференционной профилометрии.

Искажения оптической индикатрисы монокристаллов парателлурита, возникающие вследствие выделения тепла в светозвукопроводах работающих акустооптических устройств, исследованы с помощью тепловизионной аппаратуры.

Опыты по обнаружению объемных структурных дефектов в крупногабаритных монокристаллах оптического германия проведены методом тепловизионной дефектоскопии.

Измерения коэффициентов пропускания и отражения излучения монокристаллами германия и парателлурита осуществлены в видимом и инфракрасном (до 20 мкм) диапазонах спектрометрическим методом.

Создание модельных антиотражающих рельефов на поверхности оптических элементов из монокристаллов парателлурита осуществлялось методом химического травления.

Научные положения и результаты, выносимые на защиту,

? Использование математических моделей распространения световых потоков через монокристаллы, разработанных на основе законов корпускулярной и геометрической оптик, учитывающих микрорельеф реальных поверхностей и концентраций объемных дефектов структуры, позволяет с высокой точностью получать данные о конечных параметрах светового потока, изначально падающего на кристалл (индикатрисы пропускания, отражения и рассеяния; распределение в материале поглощённого излучения).

? Оптические аномалии, связанные с дефектами структуры и внешним воздействием, эффективно обнаруживаются и классифицируются методом лазерной коноскопии с помощью математического анализа искажений геометрии изохром и сравнения изображений коноскопических картин путем вычитания, которые позволяют рассчитать изменения коэффициентов преломления.

? Неоднородное распределение электроактивных примесей, как и дефекты структуры в объеме монокристаллов германия, выявляются с помощью тепловизионной дефектоскопии.

? Нагрев монокристаллов германия приводит к необратимой перестройке структуры рельефа полированной поверхности на уровне нескольких нанометров и к уменьшению коэффициента пропускания излучения в спектральном диапазоне прозрачности.

Достоверность результатов. Достоверность результатов, полученных в диссертации, обосновывается экспериментальной проверкой теоретических

положений, выполненной с помощью современных методов и аппаратуры, апробацией на научных конференциях, публикациями в рецензируемых изданиях, а также практическим использованием при измерениях параметров оптического качества монокристаллов германия и парателлурита, по итогам которых образцы, прошедшие метрологические испытания, установлены в действующих оптических, акустооптических и лазерных устройствах.

По результатам исследования автором работы опубликовано 38 научных работ, из них 13 - в рецензируемых научных журналах, рекомендованных ВАК РФ, 4 патента на изобретения, 4 свидетельства на программы для ЭВМ, 1 заявка на изобретение.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы были представлены на International Conference on Functional Materials and Nanotechnologies 2013, FM and NT 2013, 24 April 2013, Tartu (Estonia); 12th School on Acousto-Optics and Applications, June 2014, Druskininkai (Lithuania); 12th Russia∕CIS∕Baltic∕Japan Symposium on Ferroelectricity, RCBJSF 2014 and 9th International Conference on Functional Materials and Nanotechnologies, FM and NT 2014, 29 Sep - 2 Oct 2014, Riga (Latvia); 44th Winter School on Wave and Quantum Acoustics, 2-6 March 2015, Szczyrk (Poland); International Congress on Ultrasonics, 18-20 December 2017, Honolulu, Hawaii; VII Международной конференции «Фотоника и информационная оптика», НИЯУ МИФИ, 24-26 января 2018 г. (Москва); 3-й Международной научно-практической конференции, 19-20 апреля 2018 г. (Омск); XII международной конференции «Механика, ресурс и диагностика материалов и конструкций», 21-25 мая 2018 г. (Екатеринбург); VIII Международной конференции «Фотоника и информационная оптика», НИЯУ МИФИ, 23-25 января 2019 г. (Москва).

Работа по теме диссертации проводилась в соответствии с проектом «Разработка физических принципов и методов управляемого влияния микрорельефа поверхностей оптических материалов на их прозрачность» (ГЗ, проект 3.5786.2017/8.9); в рамках реализации ФЦП «Исследования и

разработки по приоритетным направлениям развития научно­технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы» (соглашение 14.577.21.0004 (RFMEFI57714X0004); соглашение 14.574.21.0113 (RFMEFI57414X0113).

Структура и объем диссертационной работы.

Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, списка литературы. Работа содержит 150 страниц основного текста, 91 рисунок, 5 таблиц, 125 наименований цитируемой литературы.

Личный вклад автора.

Диссертантом совместно с научным руководителем проводились: выбор темы, постановка цели и задач исследований, планирование работы и структуры диссертации. В теоретической части работы автором сформулированы алгоритмы для математических моделей, проведены виртуальные эксперименты и проанализированы полученные результаты. В экспериментальной части работы автором самостоятельно были разработаны методы оценки однородности монокристаллов, проведены исследования влияния дефектов структуры и шероховатости поверхности, а также процессов нагрева на оптическую однородность монокристаллов с помощью оптического профилометра NanoMap WLI 1000, тепловизионной камеры FLIR Т250 и оптических схем регистрации коноскопических картин, проведены расчеты, обработаны полученные результаты.

<< | >>
Источник: Третьяков Сергей Андреевич. ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ И МИКРОРЕЛЬЕФА ПОВЕРХНОСТЕЙ НА ОПТИЧЕСКУЮ ОДНОРОДНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь 2019. 2019

Еще по теме ВВЕДЕНИЕ:

  1. ВВЕДЕНИЕ
  2. ВВЕДЕНИЕ
  3. ВВЕДЕНИЕ
  4. ВВЕДЕНИЕ
  5. ВВЕДЕНИЕ
  6. ВВЕДЕНИЕ
  7. ВВЕДЕНИЕ
  8. Введение
  9. Твердость порошковых алюмокомпозитов системы А1-3масс.%М- 1масс.%Cu, АМмасс^^ и A1-4масс.%Mg с наномодификаторами
  10. Предел прочности на растяжение порошковых алюмокомпозитов с наномодификаторами
  11. Предел прочности на изгиб порошковых алюмокомпозитов системы с наномодификаторами
  12. 3.4 Исследование процесса спарк-плазменного спекания порошковых алюмокомпозитов системы Л1-3масс.%М-1масс.%Си с наномодификаторами
  13. ОГЛАВЛЕНИЕ
  14. ОГЛАВЛЕНИЕ
  15. ОГЛАВЛЕНИЕ
  16. ОГЛАВЛЕНИЕ
  17. СОДЕРЖАНИЕ
  18. СОДЕРЖАНИЕ